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VNS1NV04PTR-E
全自保护功率MOSFET
- 描述
- OMNIFET II全自动保护功率MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- VNS1NV04PTR-E
- 商品编号
- C155573
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.235克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率电子开关 | |
| 类型 | 高侧开关 | |
| 通道数 | 1 | |
| 输入控制逻辑 | 高电平有效 | |
| 最大连续电流 | 1.7A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 36V | |
| 导通电阻 | 250mΩ | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 特性 | 过热保护(OTP)；短路保护(SCP) |
商品概述
VNN1NV04P-E、VNS1NV04P-E是采用意法半导体（STMicroelectronics）VIPower M0 - 3技术设计的单片器件，旨在用于从直流到50 kHz应用中替代标准功率MOSFET。内置的热关断、线性电流限制和过压钳位功能可在恶劣环境下保护芯片。通过监测输入引脚的电压可以检测故障反馈。
商品特性
- 线性电流限制
- 热关断
- 短路保护
- 集成钳位
- 输入引脚电流消耗低
- 通过输入引脚进行诊断反馈
- ESD保护
- 直接接入功率MOSFET的栅极（模拟驱动）
- 与标准功率MOSFET兼容