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STFI15N60M2-EP
停产 1个N沟道 耐压:600V 电流:11A
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STFI15N60M2-EP
- 商品编号
- C155569
- 商品封装
- TO-281-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 378mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 590pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 30pF |
商品概述
这些器件是采用MDmesh™ M2 EP增强性能技术开发的N沟道功率MOSFET。由于其条形布局和改进的垂直结构，这些器件具有低导通电阻和优化的开关特性，关断开关损耗极低，使其适用于要求极高的甚高频转换器。
商品特性
- 极低的栅极电荷
- 出色的输出电容（Coss）特性
- 极低的关断开关损耗
- 经过100%雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用
- 专为甚高频转换器（f > 150 kHz）设计