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STB60NF06LT4

环保标识
  • 1个N沟道 耐压:60V 电流:60A

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  • 描述

    汽车级N沟道60 V、0.012 Ohm典型值、60 A STripFET II功率MOSFET,D2PAK封装

  • 品牌名称ST(意法半导体)
  • 商品型号

    STB60NF06LT4
  • 商品编号

    C155565
  • 商品封装

    TO-263-2
  • 包装方式

    编带

  • 商品毛重

    1.915克(g)

  • 商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)60A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)14mΩ@5V,30A
功率(Pd)110W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)66nC@48V
输入电容(Ciss@Vds)2nF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)125pF@25V
工作温度-55℃~+175℃

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