STB60NF06LT4
1个N沟道 耐压:60V 电流:60A
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描述
汽车级N沟道60 V、0.012 Ohm典型值、60 A STripFET II功率MOSFET,D2PAK封装
- 品牌名称ST(意法半导体)
商品型号
STB60NF06LT4商品编号
C155565商品封装
TO-263-2包装方式
编带
商品毛重
1.915克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
连续漏极电流(Id) | 60A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 14mΩ@5V,30A | |
功率(Pd) | 110W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 66nC@48V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 2nF@25V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 125pF@25V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ |
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