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STB60NF06LT4
1个N沟道 耐压:60V 电流:60A
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- 描述
- 汽车级N沟道60 V、0.012 Ohm典型值、60 A STripFET II功率MOSFET，D2PAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB60NF06LT4
- 商品编号
- C155565
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.915克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 125pF | |
| 工作温度 | -65℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 360pF |
商品概述
采用独特的STripFET工艺实现的这款功率MOSFET系列专门设计用于最小化输入电容和栅极电荷。因此，它适用于电信和计算机应用的先进高效隔离式DC-DC转换器的主开关。它也适用于任何对栅极电荷驱动要求较低的应用。
商品特性
- 出色的dv/dt能力
- 100%雪崩测试
- 面向应用的特性表征
- 工作温度范围达175°C
- 低阈值驱动
应用领域
- 开关应用