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IRF7855PBF
1个N沟道 耐压:60V 电流:12A
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- 描述
- N沟道,60V,12A,9.4mΩ@10V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF7855PBF
- 商品编号
- C151533
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.275克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.4mΩ@10V,12A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.9V@100uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.56nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 440pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最大程度降低导通电阻（R_DS(on)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 占位面积仅3mm²，不到SOT23尺寸的一半
- 厚度0.8mm，适用于薄型应用
- 低栅极阈值电压
- 快速开关速度
- 栅极具有3KV静电放电保护
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑，为“绿色”器件
- 通过AEC-Q101标准认证，可靠性高
应用领域
- 便携式电子设备