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FOD8316R2V

逻辑输入 1通道隔离电压(rms):4243V

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描述: FOD8316 是一款先进的 2.5A 输出电流 IGBT 驱动光耦合器，能够驱动大多数 1200V/150A IGBT。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它提供了防止导致 IGBT 破坏性散热的故障情况所需的重要保护特性。它利用安森美半导体的专属共面 Optoplanar 封装技术和优化的集成电路设计，可实现高抗扰性，具有高共模抑制和电源抑制规定特性。它包含一个集成式门极驱动光耦合器，带有低 RDS(ON) CMOS 晶体管，可将 IGBT 在轨之间驱动，还包含一个用于故障感应的集成式高速隔离反馈。该器件采用紧凑型 16 引脚小型塑料封装，满足 8 毫米漏电和间距要求。
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: FOD8316R2V
商品编号: C132699
商品封装: SOP-16-300mil
包装方式: 编带
商品毛重: 0.65克(g)

商品参数

商品概述

FOD8316 是一个高级2.5A 的输出电流IGBT 驱动光电耦合器，可驱动大部分1200V/150A IGBTs。它非常适用于快速开关驱动在电机控制逆变器应用以及高性能电源系统中使用的功率 IGBTs 和 MOSFETs。它还提供防止出现故障状态所需的关键保护功能，这些状态会导致IGBTs 的破坏性热失控。该器件采用专利共面封装技术Optoplanar，优化了 IC 设计，通过高共模抑制和电源抑制规格特点实现了高抗噪能力。它包含采用低 RDS(ON) CMOS 晶体管以进行 IGBT 轨到轨驱动的集成式栅极驱动光电耦合器，以及用于故障检测的集成式高速隔离反馈。该器件采用紧凑型 16 引脚小尺寸塑料封装，这符合8mm 爬电和间隙要求。

商品特性

具有共模抑制特点的高抗噪能力 – 35kV/μs 最小共模抑制 (Vcm = 1500Vpk)
2.5A 峰值输出电流驱动能力，可驱动大部分1200V/150A IGBT
光隔离故障检测反馈
“软” IGBT 关闭
内置IGBT 保护 – 不饱和检测 – 欠压闭锁保护
1,414V （峰值）工作电压额定值
8,000V （峰值）瞬态额定隔离电压
电源电压范围较宽，从 15V 至 30V – 使用P 沟道 MOSFETs 作为输出级可使输出电压摆幅接近供电轨（轨到轨输出）
3.3V/5V, CMOS/TTL 兼容输入
高速 – 500ns （最大值）在整个工作温度范围内的传播延迟
扩展工业温度范围在 -40°C 到 100°C 之间
安全和法规 – UL1577, 4,243VRMS 1 分钟。 – DIN EN/IEC 60747-5-5
RDS(ON) of 1Ω（典型值）提供更低功耗
用户可配置：反相，同相，自动复位，自动关断
8mm 爬电和间隙距离

应用领域

工业用逆变器
感应加热
隔离 IGBT 驱动

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近期成交1单

	属性	参数值
	商品目录	逻辑输出光耦
	输入类型	DC
	工作电压	3V~5.5V
	隔离电压(Vrms)	4.243kV
	CMTI(kV/us)	50kV/us
	传输速率	-
	通道数	1

	属性	参数值
	工作温度	-40℃~+100℃
	传播延迟 tpLH	500ns
	传播延迟 tpHL	500ns
	输入阈值电流(FH)	-
	输出电流	3A
	耗散功率(Pd)	100mW
	输出电压	30V