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FGH50T65SQD-F155
650V 100A
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- 描述
- 安森美半导体的新型场截止第 4 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供优异性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FGH50T65SQD-F155
- 商品编号
- C132704
- 商品封装
- TO-247-G03
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.86克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 100A | |
| 耗散功率(Pd) | 268W | |
| 输出电容(Coes) | 84pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 200A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.1V@50A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 2.6V@50mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 99nC@15V | |
| 输入电容(Cies) | 3.275nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 22ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 105ns | |
| 导通损耗(Eon) | 180uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 45uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 31ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 反向传输电容(Cres) | 12pF |
优惠活动
购买数量
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起订量：1 个30个/管
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