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FOD8332R2

逻辑输入 1通道隔离电压(rms):4243V

描述: FOD8332 是一款 2.5 A 输出电流 IGBT 驱动光耦合器，能够驱动额定值最高为 1,200 V 和 150 A 的中等功率 IGBT。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。FOD8332 提供了防止导致 IGBT 破坏性散热的故障情况所需的重要保护特性。该器件利用安森美半导体的专属共面 Optoplanar 封装技术和优化的集成电路设计，可实现可靠的高隔离电压和高抗扰性，具有高共模抑制和电源抑制规定特性。该器件采用宽体 16 引脚小型塑料封装。该门极驱动沟道包含一个与高速驱动集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该集成电路带有低 RDS(ON) MOSFET 输出级。故障感应沟道包括一个与集成的高速反馈电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，用于进行故障感应。
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: FOD8332R2
商品编号: C132702
商品封装: SOIC-16-300mil
包装方式: 编带
商品毛重: 0.892克(g)

商品参数

商品概述

FOD8332是一款先进的2.5 A输出电流IGBT驱动光电耦合器，可驱动额定值高达1,200 V和150 A的中等功率IGBT。它适用于快速开关驱动在电机控制逆变器应用以及高性能电源系统中使用的功率IGBT和MOSFET。FOD8332提供必要的保护功能，避免发生故障，从而确保IGBT不会由于过热损坏。

商品特性

输入LED驱动辅助接受来自PWM输出的数字编码信号
光隔离故障检测反馈
有源米勒钳位功能可在高dv/dt期间断开IGBT，无需负电源电压
具有共模抑制特点的高抗噪能力 - 35 kV/μs最小、VCM = 1500 VPEAK
2.5 A输出电流驱动能力，针对中等功率IGBT
在输出级使用P沟道MOSFET可实现接近于电源电压轨的输出电压摆幅（轨到轨输出）
宽电源电压范围：15 V至30 V
集成IGBT保护
去饱和检测
IGBT “软”断开
具有滞回的欠压锁定 (UVLO)
采用Optoplanar共面封装技术，优化了IC设计，通过高共模抑制和电源抑制规格特点实现了可靠的隔离性能和高抗噪能力
包含在一个宽体16引脚小型塑料封装中
8 mm爬电和安全距离

应用领域

AC和无刷DC电机驱动器
工业变频器
不间断电源
感应加热
隔离IGBT/功率MOSFET栅极驱动

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交货周期

订货89-91个工作日

购买数量

(750个/圆盘，最小起订量 750 个)

个

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总价金额：

￥ 0.00

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	属性	参数值
	商品目录	逻辑输出光耦
	输入类型	DC
	工作电压	3V~15V
	隔离电压(Vrms)	4.243kV
	CMTI(kV/us)	50kV/us
	传输速率	-

	属性	参数值
	通道数	1
	工作温度	-40℃~+100℃
	传播延迟 tpLH	250ns
	传播延迟 tpHL	250ns
	输入阈值电流(FH)	7mA