TLC6C598QPWRQ1

TLC6C598-Q1 是一款单片中压低电流 8 位移位寄存器，专为需要相对适中负载功率的系统设计，如 LED。该器件包含一个 8 位串行输入并行输出移位寄存器，该寄存器将数据传送到一个 8 位 D 型存储寄存器。数据分别在移位寄存器时钟 (SRCK) 和寄存器时钟 (RCK) 的上升沿通过移位寄存器和存储寄存器传输。当移位寄存器清零 (CLR) 为高电平时，存储寄存器将数据传输到输出缓冲区。CLR 为低电平时会清除设备中的所有寄存器。将输出使能 (G) 保持高电平会使输出缓冲区中的所有数据保持低电平，并且所有漏极输出关闭。将 G 保持低电平会使存储寄存器中的数据透明地传递到输出缓冲区。当输出缓冲区中的数据为低电平时，DMOS 晶体管输出关闭。当数据为高电平时，DMOS 晶体管输出具有吸收电流的能力。串行输出 (SER OUT) 在 SRCK 的下降沿从设备中时钟输出，以提供额外的保持时间，适用于级联应用。这提高了时钟信号可能偏斜、设备不靠近彼此或系统必须耐受电磁干扰的应用性能。该设备内置了热关断保护。

输出是低侧开漏 DMOS 晶体管，在 Vcc = 5 V 时具有 40 V 和 50 mA 的连续吸收电流能力。随着结温升高，电流限制降低，从而提供更多设备保护。该设备还提供了高达 2000 V 的 ESD 保护（使用人体模型测试）和 200 V 的 ESD 保护（使用机器模型测试）。

TLC6C598-Q1 的特性是在 -40°C 至 125°C 的工作环境温度范围内进行操作。

• 适用于汽车应用
• AEC-Q100认证，结果如下：
  • 器件温度等级：-40℃至125℃环境工作温度范围
  • 器件HBM ESD分类等级H2
  • 器件CDM ESD分类等级C3B
• 宽Vcc范围从3 V到5.5 V
• 输出最大额定电压为40 V
• 八个电源DMOS晶体管输出，连续电流为50 mA（VCC = 5 V）
• 热关断保护
• 增强级联以支持多级
• 单个输入清除所有寄存器
• 低功耗
• 慢切换时间（Δtr和tf），有助于显著降低EMI
• 16引脚TSSOP-PW封装
• 16引脚SOIC-D封装

• 仪表盘指示灯
• LED照明和控制