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FDP6030BL
1个N沟道 耐压:30V 电流:40A
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- 描述
- N沟道 30V 40A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDP6030BL
- 商品编号
- C124436
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -65℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
NCE55P15K采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- RDS(ON) = 0.024 Ω(VGS = 4.5 V 时)
- 40 A、30 V,RDS(ON) = 0.018 Ω(VGS = 10 V 时)
- 规定了高温下的关键直流电气参数。
- 坚固的内部源 - 漏二极管可无需外部齐纳二极管瞬态抑制器。
- 高性能沟槽技术,实现极低的 \mathsfR\mathsfDS(ON)
- 最高结温额定值为 175℃。
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- DC-DC转换器