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FQPF70N10
1个N沟道 耐压:100V 电流:35A
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- 描述
- 该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQPF70N10
- 商品编号
- C124444
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.051克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V,17.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 62W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 940pF |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
商品特性
- 35 A、100 V，RDS(on) = 23 mΩ（最大值）@ VGS = 10 V、ID = 17.5 A
- 低栅极电荷（典型值85 nC）
- 低Crss（典型值150 pF）
- 100%雪崩测试
- 最高结温额定值175°C
应用领域
- 开关模式电源
- 音频放大器
- 直流电机控制
- 可变开关电源应用