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2N7002

1个N沟道耐压:60V 电流:115mA

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描述: 这款N沟道增强模式MOSFET采用专有的高单元密度DMOS技术生产。该产品的设计可在最大程度减少导通电阻的同时提供稳固、可靠和快速开关的性能表现。2N7002可用于需要高达400mA直流电的大多数应用，并可提供高达2A的脉冲电流。本产品特别适合于低电压、低电流的应用，如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器和其他开关应用。
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: 2N7002
商品编号: C124475
商品封装: SOT-23-3L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.031967克(g)

商品参数

商品概述

这些 N 沟道增强型场效应晶体管采用专有的高单元密度 DMOS 技术制造。这些产品旨在最大限度地降低导通电阻，同时提供坚固、可靠和快速的开关性能。它们可用于大多数需要高达 400 mA 直流电流的应用，并且能够提供高达 2 A 的脉冲电流。这些产品特别适用于低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 栅极驱动器和其他开关应用。

商品特性

用于低 RDS(ON) 的高密度单元设计
电压控制小信号开关
坚固可靠
高饱和电流能力

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	115mA
	导通电阻(RDS(on))	7.5Ω@10V
	耗散功率(Pd)	200mW
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	-
	输入电容(Ciss)	25pF
	反向传输电容(Crss)	5pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	25pF