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NDS0605
1个P沟道 耐压:60V 电流:180mA
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描述
此 P 沟道增强型电场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺可最大程度地降低导通电阻，提供了坚固可靠的性能和快速的开关。NDS0605 可用于最高要求 0.18A DC 的大多数应用，可以提供高达 1 A 的脉冲电流，且工作量极小。此产品尤其适用于需要低电流高压侧开关的低压应用。
- 品牌名称onsemi(安森美)
商品型号
NDS0605商品编号
C124476商品封装
SOT-23包装方式
编带
商品毛重
0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180mA | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 5Ω@10V,0.5A | |
| 功率(Pd) | 360mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.7V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 2.5nC | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 79pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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