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NDS0605
1个P沟道 耐压:60V 电流:0.18A
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- 描述
- 此 P 沟道增强型电场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺可最大程度地降低导通电阻，提供了坚固可靠的性能和快速的开关。NDS0605 可用于最高要求 0.18A DC 的大多数应用，可以提供高达 1 A 的脉冲电流，且工作量极小。此产品尤其适用于需要低电流高压侧开关的低压应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NDS0605
- 商品编号
- C124476
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 360mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 79pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 10pF |
商品概述
这些P沟道增强型场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺旨在最大限度地降低导通电阻，提供坚固可靠的性能和快速开关能力。它们只需付出最小的努力，就能用于大多数需要高达180mA直流电流的应用中，并且能够提供高达1A的电流。 该产品特别适用于需要低电流高端开关的低压应用。
商品特性
- 0.18A，-60V。VGS = -10V时，RDS(ON) = 5Ω
- 电压控制的P沟道小信号开关
- 用于低RDS(ON)的高密度单元设计
- 高饱和电流
- SOT - 23