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FQP13N50C
1个N沟道 耐压:500V 电流:13A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQP13N50C
- 商品编号
- C124440
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 480mΩ@10V,6.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 195W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.055nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 235pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用专有的平面条形DMOS技术制造。这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、有源功率因数校正以及基于半桥拓扑的电子灯镇流器。
商品特性
- 13 A、500 V，RDS(导通) = 480 mΩ（最大值）@ VGS = 10 V，ID = 6.5 A
- 低栅极电荷（典型值43 nC）
- 低Crss（典型值20 pF）
- 100%经过雪崩测试
应用领域
- 高效开关模式电源
- 有源功率因数校正
- 基于半桥拓扑的电子灯镇流器