温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FCPF22N60NT
1个N沟道 耐压:600V 电流:22A
- 描述
- N沟道 600V 22A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCPF22N60NT
- 商品编号
- C124435
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.89克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 165mΩ@10V,11A | |
| 耗散功率(Pd) | 39W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.95nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 75.9pF |
商品概述
NCE2312采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 20V，漏极电流（ID） = 4.5A
- 栅源电压（VGS） = 2.5V时，导通状态漏源电阻（RDS(ON)） < 40 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 4.5V时，导通状态漏源电阻（RDS(ON)） < 33 mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
-电池保护-负载开关-电源管理