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UCLAMP3301P.TCT实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

UCLAMP3301P.TCT

单向TVS 3.3V截止 峰值脉冲电流:5A@8/20us

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描述
A钳位瞬态电压抑制(TVS)二极管专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理(PDA)等便携式应用中替代多层压敏电阻(MLV)而设计。与MLV相比,它们具有卓越的电气特性,如更低的钳位电压,且不会出现器件性能退化的问题。这些二极管旨在保护敏感半导体元件,使其免受静电放电(ESD)、雷击、电快速瞬变(EFT)和电缆放电事件(CDE)造成的损坏或故障影响。
品牌名称
SEMTECH
商品型号
UCLAMP3301P.TCT
商品编号
C117559
商品封装
SLP1006-2​
包装方式
编带
商品毛重
0.031克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静电和浪涌保护(TVS/ESD)
极性单向
反向截止电压(Vrwm)3.3V
钳位电压8V
峰值脉冲电流(Ipp)5A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)40W@8/20us
击穿电压3.5V
属性参数值
反向电流(Ir)50nA
通道数单路
工作温度-40℃~+85℃@(Ta)
防护等级IEC 61000-4-2;IEC 61000-4-4
类型TVS
Cj-结电容30pF

商品概述

μClamp® TVS二极管专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理(PDA)等便携式应用中替代多层压敏电阻(MLV)而设计。与MLV相比,它们具有卓越的电气特性,如更低的钳位电压,且不会出现器件性能退化的问题。这些二极管旨在保护敏感半导体元件,使其免受静电放电(ESD)、雷击、电快速瞬变(EFT)和电缆放电事件(CDE)造成的损坏或故障影响。

μClamp®3301P采用Semtech专有的EPD工艺技术制造。与硅雪崩二极管工艺相比,EPD工艺可提供低耐受电压,并显著降低漏电流和电容。与传统的pn结器件相比,其真正的工作电压为3.3伏,可提供更出色的保护。

μClamp3301P采用2引脚SLP1006P2封装,尺寸为1.0 × 0.6 × 0.5毫米。引脚间距为0.65毫米,采用无铅NiPdAu镀层。每个器件可保护一条工作电压为3.3伏的线路。这使设计人员在不适合使用阵列的应用中能够灵活地保护单条线路。它们可用于满足IEC 61000-4-2标准4级(± 15 kV空气放电、± 8 kV接触放电)的ESD抗扰度要求。小尺寸和高ESD浪涌能力的结合使其非常适合用于手机、数码相机和MP3播放器等便携式应用。

商品特性

  • 依据IEC 61000-4-2(ESD)、IEC 61000-4-4(EFT)和电缆放电事件(CDE)标准为数据线提供瞬态保护
  • 超小型封装
  • 保护一条数据线
  • 低钳位电压
  • 工作电压:3.3V
  • 低漏电流
  • 固态硅雪崩技术

应用领域

-手机及配件-个人数字助理(PDA)-笔记本电脑和手持设备-便携式仪器-数码相机-外设-MP3播放器

数据手册PDF