温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
UCLAMP2512T.TCT
TVS 2.5V截止 峰值浪涌电流：10A@8/20us
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- μClamp2512T TVS 二极管专为满足千兆以太网接口的性能要求而设计。其旨在保护敏感的 PHY 芯片，使其免受静电放电（ESD）、雷击、电快速瞬变（EFT）和电缆放电事件（CDE）造成的损坏或故障影响。μClamp2512T 采用 Semtech 的低压 EPD 工艺技术制造
- 品牌名称
- SEMTECH
- 商品型号
- UCLAMP2512T.TCT
- 商品编号
- C117931
- 商品封装
- SLP2010-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 2.5V | |
| 钳位电压 | 10.2V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 10A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 100W@8/20us | |
| 击穿电压 | 3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 50nA | |
| 通道数 | 双路 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | TVS | |
| Cj-结电容 | 6pF |
商品概述
μClamp 2512T TVS 二极管专为满足千兆以太网接口的性能要求而设计。它们旨在保护敏感的 PHY 芯片，避免其因静电放电 (ESD)、雷击、电快速瞬变 (EFT) 和电缆放电事件 (CDE) 而损坏或故障。 μClamp2512T 采用 Semtech 的低压 EPD 工艺技术制造。与硅雪崩二极管工艺相比，EPD 工艺提供低工作电压，并显著降低漏电流和电容。该器件在偏置下电容变化小，可确保千兆以太网线路稳定运行。这意味着在 PHY 温度高达 120°C（100M Cat 5/5e 电缆）的情况下，μClamp2512T 不会在千兆以太网接口上引入任何通信帧错误。μClamp2512T 还具有高浪涌能力，设计用于放置在磁性元件和 PHY 芯片之间。在这种配置下，该器件可承受符合 Telcordia GR - 1089 标准的建筑物内雷击浪涌。 μClamp2512T 采用 8 引脚 SLP2010N8T 封装，尺寸为 2.0 × 1.0 × 0.4mm。引脚间距为 0.5mm，采用无铅 NiPdAu 表面处理。每个器件可保护两对工作电压为 2.5V 的线路。这为设计师在空间有限的应用中保护多条线路提供了灵活性。uClamp2512T 尺寸小且易于布局，非常适合用于集成磁性元件的 RJ - 45 连接器。
商品特性
- 高 ESD 耐受电压：根据 IEC 61000 - 4 - 2 标准，接触放电/空气放电为 ±30kV
- 能够承受超过 1000 次符合 IEC 61000 - 4 - 2 4 级标准的 ESD 冲击
- 直通式设计简化布局
- 保护两对线路
- 低反向电流：典型值 10nA（VR = 2.5V）
- 电容随偏置电压变化小：典型值 1.3pF（VR = 0 至 2.5V）
- 工作电压：2.5V
- 固态硅雪崩技术
应用领域
- 10/100/1000 以太网
- 集成磁性元件/RJ - 45 连接器
- 局域网/广域网设备
- 监控摄像头
- 工业控制
- 笔记本电脑和台式电脑