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FDD8424H
1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:20A
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- 描述
- 此类双 N 和 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD8424H
- 商品编号
- C112174
- 商品封装
- TO-252-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.499克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
这些双 N 沟道和 P 沟道增强型功率 MOSFET 采用先进的 PowerTrench 工艺制造,该工艺经过专门优化,可在保持卓越开关性能的同时,最大限度地降低导通电阻。
商品特性
- Q1:N 沟道
- VGS = 10 V、ID = 9.0 A 时,最大 rDS(on) = 24 mΩ
- VGS = 4.5 V、ID = 7.0 A 时,最大 rDS(on) = 30 mΩ
- Q2:P 沟道
- VGS = -10 V、ID = -6.5 A 时,最大 rDS(on) = 54 mΩ
- VGS = -4.5 V、ID = -5.6 A 时,最大 rDS(on) = 70 mΩ
- 开关速度快
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 逆变器
- H 桥