温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
KIA50N03AD
停产 1个N沟道 耐压:30V 电流:50A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。 具备完整的雪崩电压和电流特性
- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KIA50N03AD
- 商品编号
- C112249
- 商品封装
- TO-252-2(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.453克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@4.5V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 200W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.18nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 145pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 270pF |
BVDSS(V): 30
ID(A): 50
RDS(ON): 0.0065
Qg(nC): 10
Package: TO-251、TO-252、TO-220
ID(A): 50
RDS(ON): 0.0065
Qg(nC): 10
Package: TO-251、TO-252、TO-220
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
近期成交0单