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KIA3414
1个N沟道 耐压:20V 电流:4.2A
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- 描述
- N沟道,20V,4.2A,50mΩ@4.5V,功能与引脚同 AO3414
- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KIA3414
- 商品编号
- C116045
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 63mΩ@2.5V,3.7A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 436pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 44pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 66pF |
商品概述
NCE01P30K采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)），适用于多种应用场景，具备ESD保护功能。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -100V，漏极电流（ID） = -30A
- 栅源电压（VGS） = -10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 58 mΩ（典型值：44 mΩ）
- 栅源电压（VGS） = -4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 65 mΩ（典型值：48 mΩ）
- 超高密度单元设计
- 先进的沟槽工艺技术
- 可靠耐用
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
应用领域
- 便携式设备和电池供电系统