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IRFH7004TRPBF实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRFH7004TRPBF

1个N沟道 耐压:40V 电流:259A

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描述
特性:改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。 全特性电容和雪崩 SOA。 增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。 符合 RoHS 标准,无铅、无溴、无卤素。应用:有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
商品型号
IRFH7004TRPBF
商品编号
C112334
商品封装
PQFN-8(4.9x5.8)​
包装方式
编带
商品毛重
0.2克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)259A
导通电阻(RDS(on))1.4mΩ@10V,100A
耗散功率(Pd)156W
阈值电压(Vgs(th))3.9V@150uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)194nC@10V
输入电容(Ciss)6.419nF
反向传输电容(Crss)656pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)952pF

数据手册PDF

优惠活动

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(4000个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个4000个/圆盘

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