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IRF7311TRPBF
2个N沟道 耐压:20V 电流:6.6A
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- 描述
- 双N沟道,20V,6.6A,29mΩ@4.5V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF7311TRPBF
- 商品编号
- C114174
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.275克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 29mΩ@4.5V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 900pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 430pF |
商品概述
第五代HEXFET采用先进的加工技术，实现了单位硅面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET广为人知的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。 SO - 8封装通过定制引线框架进行了改进，具有更好的热特性和多芯片封装能力，使其非常适合各种功率应用。通过这些改进，在应用中使用多个器件时可大幅减少电路板空间。该封装适用于气相、红外或波峰焊接技术。
商品特性
- 超低导通电阻
- 全雪崩额定
- 无铅