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IPA65R190E6XKSA1
1个N沟道 耐压:650V 电流:20.2A
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- 描述
- N沟 650V 20.2A
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPA65R190E6XKSA1
- 商品编号
- C115847
- 商品封装
- TO-220F(TO-220IS)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 73nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.62nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 98pF |
商品概述
CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术，它依据超结（SJ）原理设计。CoolMOS E6系列融合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新技术。该系列器件在不牺牲易用性的前提下，具备快速开关SJ MOSFET的所有优势。极低的开关损耗和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便且散热性能更好。
商品特性
- 由于极低的品质因数Rdson*Qg和Eoss,损耗极低
- 极高的换向鲁棒性
- 易于使用/驱动
- 通过JEDEC认证,无铅电镀,无卤素
应用领域
- 功率因数校正(PFC)级
- 硬开关PWM级
- 用于电脑主机、适配器、液晶与等离子电视、照明、服务器、电信和不间断电源(UPS)的谐振开关PWM级