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IRF8707TRPBF
1个N沟道 耐压:30V 电流:11A 停产
- 描述
- IRF8707PbF将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术融入行业标准的SO - 8封装中。IRF8707PbF针对同步降压操作中的关键参数（包括导通电阻Rds(on)和栅极电荷）进行了优化，以降低传导损耗和开关损耗。总损耗的降低使该产品非常适合为笔记本电脑和网络通信应用中的新一代处理器供电的高效DC - DC转换器
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF8707TRPBF
- 商品编号
- C116841
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.275克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17.5mΩ@4.5V,8.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.35V@25uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 760pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 82pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 170pF |
交货周期
订货7-9个工作日购买数量
(1个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1个/圆盘
近期成交12单
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