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IRF135S203实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRF135S203

1个N沟道 耐压:135V 电流:129A

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描述
特性:改善的栅极、雪崩和动态dV/dt坚固性。 完全表征的电容和雪崩SOA。 增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。 无铅,符合RoHS标准,无卤素。应用:有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
商品型号
IRF135S203
商品编号
C116168
商品封装
D2PAK​
包装方式
编带
商品毛重
2克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)135V
连续漏极电流(Id)129A
导通电阻(RDS(on))8.4mΩ@10V,77A
耗散功率(Pd)441W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)270nC@10V
输入电容(Ciss)9.7nF
反向传输电容(Crss)250pF
工作温度-55℃~+175℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)540pF

数据手册PDF