IRFL4310TRPBF
1个N沟道 耐压:100V 电流:2.2A
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- 描述
- N沟道,100V,1.6A,0.2Ω@10V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRFL4310TRPBF
- 商品编号
- C115168
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.194克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V,1.6A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 330pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 54pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 92pF |
商品概述
国际整流器公司(International Rectifier)的第五代HEXFET采用先进的加工技术,实现了单位硅面积极低的导通电阻。这一优势,结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计,为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件,可用于各种应用。 SOT - 223封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。其独特的封装设计与其他SOT或SOIC封装一样,便于自动拾放,并且由于散热片采用了加大的散热片,还具有改善散热性能的额外优势。在典型的表面贴装应用中,功耗可达1.0W。
商品特性
~~- 表面贴装-动态dv/dt额定值-快速开关-易于并联-先进的工艺技术-超低导通电阻-无铅
