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IRF40H210
1个N沟道 耐压:40V 电流:100A
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- 描述
- N沟道,40V,100A,1.7mΩ@10V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF40H210
- 商品编号
- C112333
- 商品封装
- PQFN-8(4.9x5.8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 201A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7mΩ@10V,100A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@50A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 101nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.406nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 518pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 805pF |
IRF40H210 N沟道,40V,100A,1.4mΩ@10V NMOS
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