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IRF40H210实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRF40H210

1个N沟道 耐压:40V 电流:100A

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描述
N沟道,40V,100A,1.7mΩ@10V
商品型号
IRF40H210
商品编号
C112333
商品封装
PQFN-8(4.9x5.8)​
包装方式
编带
商品毛重
0.2克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)201A
导通电阻(RDS(on))1.7mΩ@10V,100A
耗散功率(Pd)125W
阈值电压(Vgs(th))2.3V@50A
属性参数值
栅极电荷量(Qg)101nC@10V
输入电容(Ciss)5.406nF
反向传输电容(Crss)518pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)805pF

商品特性

  • 改善的栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性
  • 全面表征的电容和雪崩安全工作区
  • 增强的体二极管 dV/dt 和 dl/dt 能力
  • 无铅,符合 RoHS 标准

应用领域

  • 有刷电机驱动应用-无刷直流电机驱动应用-电池供电电路-半桥和全桥拓扑-同步整流器应用-谐振模式电源-或门和冗余电源开关-DC/DC 和 AC/DC 转换器-DC/AC 逆变器

数据手册PDF