LTC4444EMS8E#PBF
高电压同步 N 沟道 MOSFET 驱动器
- 品牌名称
- ADI(亚德诺)
- 商品型号
- LTC4444EMS8E#PBF
- 商品编号
- C107974
- 商品封装
- MSOP-8-EP
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.17克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 3A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | 2.5A | |
| 工作电压 | 7.2V~13.5V | |
| 上升时间(tr) | 8ns | |
| 下降时间(tf) | 5ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
LTC4444是一款高频高压栅极驱动器,可驱动同步DC/DC转换器中的两个N沟道MOSFET,电源电压最高可达100V。这款强大的驱动器可降低高栅极电容MOSFET的开关损耗。 LTC4444配置有两个独立电源输入。高端输入逻辑信号在内部进行电平转换,以连接自举电源,该电源的工作电压最高可比地电位高114V。 LTC4444包含欠压锁定电路,激活时可禁用外部MOSFET。自适应直通保护可防止两个MOSFET同时导通。
商品特性
- 自举电源电压高达114V
- 宽VCC电压范围:7.2V至13.5V
- 自适应直通保护
- 2.5A峰值TG上拉电流
- 3A峰值BG上拉电流
- 1.2Ω TG驱动器下拉电阻
- 0.55Ω BG驱动器下拉电阻
- 驱动1nF负载时,TG下降时间为5ns
- 驱动1nF负载时,TG上升时间为8ns
- 驱动1nF负载时,BG下降时间为3ns
- 驱动1nF负载时,BG上升时间为6ns
- 可驱动高端和低端N沟道MOSFET
- 欠压锁定
- 采用散热增强型8引脚MSOP封装
应用领域
- 分布式电源架构
- 汽车电源
- 高密度电源模块
- 电信
交货周期
订货25-27个工作日购买数量
(50个/管,最小起订量 1000 个)个
起订量:1000 个50个/管
总价金额:
¥ 0.00近期成交0单
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