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PPM6N20V10
P沟道MOSFET
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- 描述
- 增强型MOS具有极高的单元密度和低导通电阻。
- 品牌名称
- Prisemi(芯导)
- 商品型号
- PPM6N20V10
- 商品编号
- C918800
- 商品封装
- DFN2x2-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.045克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 224pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -30 V，漏极电流（ID） = -10 A，在栅源电压（VGS） = -10 V时，导通电阻（RDS(ON)） < 20 mΩ
- 低栅极电荷。
- 有环保型器件可供选择。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻（RDS(ON)）。
- 封装散热性能良好。