2N7002K
1个N沟道 耐压:60V 电流:500mA
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描述
防静电，应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
- 品牌名称JSMSEMI(杰盛微)
商品型号
2N7002K商品编号
C916397商品封装
SOT-23包装方式
编带
商品毛重
0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2Ω@10V,500mA | |
| 功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@1mA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 800pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 50pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 5pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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