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2N7002K
1个N沟道 耐压:60V
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- 描述
- 防静电，应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- 2N7002K
- 商品编号
- C916397
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5Ω@10V,0.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 33pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 14pF |
商品特性
- 强电流承载能力
- 低导通电阻
应用领域
- 适用于通用开关及低压电源电路