- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SSS2N60是一款高压MOSFET,具备更优特性,如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻以及高抗雪崩特性。该功率MOSFET通常用于电源、PWM电机控制、高效DC-DC转换器和桥式电路等高速开关应用。
商品特性
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) = 3.8Ω
- 超低栅极电荷(典型值9.0nC)
- 低反向传输电容(Crss典型值5.0pF)
- 快速开关能力
- 规定雪崩能量
- 改善dv/dt能力,高抗扰性
应用领域
- 电源
- PWM电机控制
- 高效DC-DC转换器
- 桥式电路
- JSM8N60F
- AMS1117S-5.0
- AMS1117-3.3
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- TJ-S1005CL4T5ALC0A-A5
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