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JSM2301SL
1个P沟道 耐压:20V 电流:2.8A
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- 描述
- 适用于电池保护、负载开关及电源管理等领域。其优越的导通电阻和快速切换性能确保了在低压电路中的出色能效与稳定性。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- JSM2301SL
- 商品编号
- C917055
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.56W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 300mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 510pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
- 当VGS = -4.5 V时,ID = -2.8 A
- 当VGS = -4.5 V时,RDS(导通电阻) = 69 mΩ(典型值)
- 当VGS = -2.5 V时,RDS(导通电阻) = 94 mΩ(典型值)
- 当VGS = -1.8 V时,RDS(导通电阻) = 130 mΩ(典型值)
- 栅极电荷低
- 开关速度快
- 改善了dv/dt能力
- 适用于-1.8 V栅极驱动应用
- 提供无铅环保器件
商品特性
- 栅极电荷低
- 开关速度快
- 改善了dv/dt能力
- 适用于-1.8 V栅极驱动应用
- 提供无铅环保器件
应用领域
-笔记本电脑-负载开关-手持仪器-开关电器-电源管理