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JSM4606
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:6A 6.9A
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- 描述
- 适用于一般开关和低压电源电路、开关速度较快、导通电阻低。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- JSM4606
- 商品编号
- C917082
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A；6.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V；1.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.5nC@10V；20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 398pF；930pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 61pF；102pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
PTD20N06采用沟槽工艺技术设计，可实现极低的导通电阻。该设计的其他特性包括可在高结温下工作、开关速度快以及重复雪崩额定值得到提升。这些特性相结合，使该设计成为一款用于电机应用及其他各种应用的高效可靠器件。
商品特性
- N沟道
- VDS = 30V,ID = 6.9A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 21mΩ
- 当VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 32mΩ
- P沟道
- VDS = -30V,ID = -6.0A
- 当VGS = -10V时,RDS(ON) < 45mΩ
- 当VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 60mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 产品无铅
- 表面贴装封装