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JSM100N03D
1个N沟道 耐压:30V 电流:90A
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- 描述
- 适用于电池保护、负载开关等应用，拥有低导通电阻和快速切换特性，为电子设备提供可靠高效的功率管理解决方案。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- JSM100N03D
- 商品编号
- C917158
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.448克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.4mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 105W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.963nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 221pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- VDS = 30V,ID = 100A
- RDS(ON):5.5 m Ω @ VGS=10 V
- 低栅极电荷
- 有环保型器件可供选择
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低RDS(ON)
- 封装散热性能良好
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源