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JSM2301S
1个P沟道 耐压:20V
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- 描述
- 适用于一般开关和低压电源电路、开关速度较快、导通电阻低。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- JSM2301S
- 商品编号
- C916399
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 135mΩ@4.5V；185mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
ATM2306NSA采用先进的沟槽技术，在实现低栅极电荷的同时，提供出色的导通电阻（RDS(on)）。该器件适用于作为负载开关或DC/DC转换器。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30V
- 漏极电流（ID） = 3.16 A
- 在10 V栅源电压下，导通电阻（RDS(on)） < 47 mΩ
- 在4.5 V栅源电压下，导通电阻（RDS(on)） < 65 mΩ
- 1脚栅极、2脚源极、3脚漏极，SOT - 23塑料封装
应用领域
- 用于一般开关和低压电源电路For general switch and low voltage power circuits