温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
JSM2305
耐压:12V 电流:4.1A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 高密度电池设计，可实现极低的RDS。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- JSM2305
- 商品编号
- C916406
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 740pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
JSM2305是一款P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管,采用高单元密度的先进沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用,并且在非常小尺寸的表面贴装封装中需要低在线功率损耗的场景。
商品特性
- -20V / -4.3A,RDS(ON) = 30mΩ(典型值)@VGS = -4.5V
- -20V / -3.5A,RDS(ON) = 40mΩ(典型值)@VGS = -2.5V
- -20V / -2.0A,RDS(ON) = 56mΩ(典型值)@VGS=-1.8V
- -20V / -1.0A,RDS(ON) = 85mΩ(典型值)@VGS=-1.5V
- 为极低的RDS(ON)进行超高设计
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合RoHS标准
- SOT23 - 3封装设计
应用领域
-电源管理-便携式设备-DC/DC转换器-负载开关-数码相机-LCD显示器逆变器