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JSM7N65
1个N沟道 耐压:650V 电流:7A
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- 描述
- 应用于高频开关电源、有源功率因数校正。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- JSM7N65
- 商品编号
- C916359
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.71克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V,3.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 48W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.38nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管功率MOSFET
- RDS(ON) < 35mΩ（VGS = 10V）
- RDS(ON) < 40mΩ（VGS = 4.5V）
- RDS(ON) < 52mΩ（VGS = 2.5V）
- SOT - 23封装
应用领域
- 直流-直流转换器
- 电池开关