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2N7002

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属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)115mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.2Ω@10V,500mA
功率(Pd)200mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)-
输入电容(Ciss@Vds)20pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)4pF@25V
工作温度-

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