2N7002
1个N沟道 耐压:60V 电流:115mA
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- 描述
- 适用于电池保护、负载开关等应用，拥有低导通电阻和快速切换特性，为电子设备提供可靠高效的功率管理解决方案。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- 2N7002
- 商品编号
- C916396
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.057克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7Ω@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- VDS = 60V,ID = 500mA
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 3Ω
- 当VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 4Ω
- 高功率和大电流处理能力
- 产品为无铅产品
- 表面贴装封装
- 静电放电等级:人体模型(HBM)>2000V
应用领域
-PWM应用-负载开关-电源管理