2N7002
1个N沟道 耐压:60V 电流:115mA
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- 品牌名称JSMSEMI(杰盛微)
商品型号
2N7002商品编号
C916396商品封装
SOT-23包装方式
编带
商品毛重
0.057克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
连续漏极电流(Id) | 115mA | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.2Ω@10V,500mA | |
功率(Pd) | 200mW |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.1V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | - | |
输入电容(Ciss@Vds) | 20pF@25V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 4pF@25V | |
工作温度 | - |
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