HGTD7N60C3S9A
HGTD7N60C3S9A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- HGTD7N60C3S9A
- 商品编号
- C903767
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 14A | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC | |
| 输入电容(Cies) | - | |
| 导通损耗(Eon) | 165uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 600uJ | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
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