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2N7000-D75Z
1个N沟道 耐压:60V 电流:200mA
- 描述
- 该款N沟道小信号MOSFET采用安森美专有的高单元密度DMOS技术生产，旨在最大程度减少导通电阻，同时提供稳固、可靠和快速的开关性能表现。它们可用于需要高达400mA DC的大多数应用，并可提供高达2A的脉冲电流，尤其适合低电压、低电流应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- 2N7000-D75Z
- 商品编号
- C900718
- 商品封装
- TO-92-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.311克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V,500mA | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 小尺寸封装（3.3 x 3.3 mm），适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗
- NVTFWS024N06C – 可焊侧翼选项，便于增强光学检测
- 通过AEC - Q101认证，具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS标准
应用领域
- 电动工具、电池供电吸尘器
- 无人机、物料搬运设备
- 电池管理系统（BMS）/储能、家庭自动化