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FOD8332R2V实物图
  • FOD8332R2V商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FOD8332R2V

逻辑输入 1通道 隔离电压(rms):4243V

描述
FOD8332 是一款 2.5 A 输出电流 IGBT 驱动光耦合器,能够驱动额定值最高为 1,200 V 和 150 A 的中等功率 IGBT。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。FOD8332 提供了防止导致 IGBT 破坏性散热的故障情况所需的重要保护特性。该器件利用安森美半导体的专属共面 Optoplanar 封装技术和优化的集成电路设计,可实现可靠的高隔离电压和高抗扰性,具有高共模抑制和电源抑制规定特性。该器件采用宽体 16 引脚小型塑料封装。该门极驱动沟道包含一个与高速驱动集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED),该集成电路带有低 RDS(ON) MOSFET 输出级。故障感应沟道包括一个与集成的高速反馈电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED),用于进行故障感应。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FOD8332R2V
商品编号
C898491
商品封装
SOIC-16-300mil​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录逻辑输出光耦
输入类型-
工作电压3V~15V
属性参数值
隔离电压(Vrms)4.243kV
通道数1
工作温度-40℃~+100℃

数据手册PDF

交货周期

订货65-67个工作日

购买数量

(750个/圆盘,最小起订量 750 个)
起订量:750 个750个/圆盘

总价金额:

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