EMC4DXV5T1G

SMT扩展库PCB免费打样

私有库下单最高享92折

品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: EMC4DXV5T1G
商品编号: C894828
商品封装: SOT-553-5
包装方式: 编带
商品毛重: 0.01825克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	数字晶体管
	数量	1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置
	集射极击穿电压(Vceo)	50V
	集电极电流(Ic)	100mA
	耗散功率(Pd)	500mW
	晶体管类型	NPN+PNP
	直流电流增益(hFE)	-
	射基极击穿电压(Vebo)	-
	最小输入电压(VI(on))	-

	属性	参数值
	最大输入电压(VI(off))	-
	输出电压(VO(on))	-
	输入电阻	13kΩ
	电阻比率	0.25
	工作温度	-
	集射极饱和电压(VCE(sat))	250mV@10mA,0.3mA
	特征频率(fT)	-
	集电极截止电流(Icbo)	100nA

商品概述

BRT（偏置电阻晶体管）包含一个单晶体管和由两个电阻组成的单片偏置网络，即一个基极串联电阻和一个基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管旨在替代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT通过将这些分立元件集成到单个器件中，省去了这些元件。在EMC2DXV5T1G系列中，两个互补的BRT器件封装在SOT - 553封装中，这对于电路板空间有限的低功耗表面贴装应用而言是理想选择。

商品特性

简化电路设计
减少电路板空间
减少元件数量
适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用的NSV前缀；符合AEC - Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
这些是无铅器件

数据手册PDF

放大查看下载PDF