2N7002-G
1个N沟道 耐压:60V 电流:115mA
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- 2N7002-G
- 商品编号
- C890114
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
3090K采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于多种应用场景。
商品特性
- 高单元密度设计,实现低 RDS(on)
- 电压控制小信号开关
- 坚固可靠
- 高饱和电流能力
- 该器件无铅且无卤
应用领域
-小型伺服电机控制-功率MOSFET栅极驱动器-其他开关应用