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IRFB20N50K-VB
1个N沟道 耐压:650V
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IRFB20N50K-VB商品编号
C7568887商品封装
TO-220包装方式
管装
商品毛重
2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 190mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3.5V |
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