IPB60R380C6-VB
1个N沟道 耐压:650V
描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单N型MOSFET,采用Plannar技术制造,适用于各种高压应用场景。TO263;N—Channel沟道,650V;18A;RDS(ON)=360mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=2~4V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IPB60R380C6-VB商品编号
C7568883商品封装
TO-263包装方式
管装
商品毛重
3.455克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 650V |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
导通电阻(RDS(on)) | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
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