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FDS5690-NL-VB
1个N沟道 耐压:60V
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，具有较高的工作稳定性和可靠性，适用于需要中小功率场效应管的应用场景，例如电源模块、驱动模块、智能家居控制模块和电动工具模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,60V；7.6A；RDS(ON)=25mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~2.5V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
FDS5690-NL-VB商品编号
C7568880商品封装
SOP-8包装方式
编带
商品毛重
0.235克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 27mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.54V |
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