HM4487-VB
1个P沟道 耐压:100V
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- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管,采用Trench工艺,适用于各种电子应用领域。SOP8;P—Channel沟道,-100V;-4.5A;RDS(ON)=110mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1.1~-2.6V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- HM4487-VB
- 商品编号
- C7568801
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.245克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@10V;200mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 5.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23.2nC@6V;27.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.19nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 61pF |
优惠活动
购买数量
(4000个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个4000个/圆盘
总价金额:
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