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IPD031N03LG-VB
1个N沟道 耐压:30V
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单体N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于汽车电子、电池管理和电源逆变等需要高功率和高性能的应用场合。TO252；N—Channel沟道,30V；120A；RDS(ON)=2.3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IPD031N03LG-VB商品编号
C7568802商品封装
TO-252包装方式
编带
商品毛重
0.495克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V |
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