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IPD031N03LG-VB
1个N沟道 耐压:30V
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单体N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于汽车电子、电池管理和电源逆变等需要高功率和高性能的应用场合。TO252；N—Channel沟道,30V；120A；RDS(ON)=2.3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IPD031N03LG-VB
- 商品编号
- C7568802
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.495克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 81.5nC@4.5V；171nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 沟道型功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 初级侧开关-隔离式DC/DC转换器
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