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SI4490DY-T1-E3-VB实物图
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SI4490DY-T1-E3-VB

1个N沟道 耐压:200V 电流:5.2A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款高耐压N通道MOSFET，采用Trench技术，适用于需要处理高电压和高电流的应用领域。SOP8；N—Channel沟道,200V；5.2A；RDS(ON)=65mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
SI4490DY-T1-E3-VB
商品编号
C7568819
商品封装
SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.25克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)5.2A
导通电阻(RDS(on))80mΩ@10V
耗散功率(Pd)3.1W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)34nC@10V
输入电容(Ciss)42pF@100V
反向传输电容(Crss)12pF@100V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

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