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SI7611DN-VB
1个P沟道 耐压:40V
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单P型MOSFET，采用Trench技术，适用于多种电源控制和开关应用。QFN8(3X3)；P—Channel沟道,-40V；-45A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.2~-2.5V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
SI7611DN-VB商品编号
C7568832商品封装
DFN-8(3x3)包装方式
编带
商品毛重
0.217647克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 12mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V |
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