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ZVN4525GTA-VB
1个N沟道 耐压:250V
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电源、电源开关、LED照明、传感器接口和便携式电子产品等多个领域SOT223；N—Channel沟道,250V；0.79A；RDS(ON)=2000mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- ZVN4525GTA-VB
- 商品编号
- C7568840
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.285克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 790mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 140pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 42pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品
- 采用高密度沟槽功率 MOSFET 技术实现超低导通电阻
应用领域
- 同步降压低端应用-笔记本电脑-服务器-工作站-同步整流负载点电源